Системы FIB-SEM стали незаменимым инструментом для характеризации и анализа новейших технологий и высокоэффективных наноразмерных материалов. Постоянно растущий спрос на сверхтонкие ламели ТЕМ без артефактов при FIB-обработке требует лучших технологий ионной и электронной оптики.
Высокопроизводительная FIB-система Hitachi NX2000 и РЭМ высокого разрешения с уникальными технологиями контроля ориентации образца* и тройного луча* обеспечивают высокую производительность и качество подготовки образцов для ТЭМ в самых современных областях применения.
* Опция
Характеристики
Высококонтрастное определение конечной точки РЭМ в реальном времени позволяет готовить сверхтонкие образцы для ТЭМ устройств с размерами менее 20 нм.
Микросэмплинг* и высокоточный механизм позиционирования* позволяют контролировать ориентацию образца для получения эффекта антизавихрения (функция ACE) и равномерно толстых ламелей.
Система Triple Beam* Конфигурация из трех лучей для уменьшения повреждений, вызванных Ga FIB.
Технические характеристики
FIB-колонна
Ускоряющее напряжение - 0,5 кВ - 30 кВ
Ток пучка - 0,05 пА - 100 нА
Колонка FE-SEM
Ускоряющее напряжение - 0,5 кВ - 30 кВ
Источник электронов - полевой эмиссионный источник с холодным катодом
Детектор
Стандартный детектор - верхний/нижний SED и BSED
Шаг - X: 0 - 205 мм
Y: 0 - 205 мм
Z: 0 - 10 мм
R: 0 - 360° бесконечность
T: -5 - 60°
Специальные принадлежности (опция)
Ион Ar/Xe 3-я колонка
Система микроотбора проб
Система впрыска нескольких газов
Система двойного наклона
Функция поворота (для 3-й колонки с ионами Ar/Xe)
Мастер подготовки образцов для ТЭМ
Программное обеспечение для автоматической пробоподготовки ТЭМ
Навигационное программное обеспечение САПР
Программное обеспечение для связи с приборами дефектоскопии
---