Производственная система PlasmaPro 100 ICPCVD

Этот технологический модуль ICPCVD предназначен для получения высококачественных пленок при низких температурах роста, что достигается за счет использования удаленной плазмы высокой плотности, обеспечивающей превосходное качество пленки при низком уровне повреждения подложки. Превосходная однородность, высокая производительность и высокая точность процессов Высококачественные пленки Электрод с широким температурным диапазоном Совместимость со всеми размерами пластин до 200 мм Быстрая смена размеров пластин Низкая стоимость владения и простота обслуживания Компактная площадь, гибкая компоновка Электроды с резистивным нагревом с возможностью нагрева до 400°C или 1200°C Очистка камеры на месте и определение конечной точки Гибкий модуль подачи паров, позволяющий осаждать пленки с использованием жидких прекурсоров, например, TiO2 с использованием TTIP, SiO2 с использованием TEOS Области применения Пленки превосходного качества с низким уровнем повреждений при пониженных температурах. Типичные осаждаемые материалы включают SiO2, Si3N4 и SiON, Si и SiC при температуре подложки до 5ºC Размеры источников ICP 65 мм, 180 мм, 300 мм обеспечивают однородность процесса до 200-миллиметровых подложек Электроды доступны для температурных диапазонов от 5ºC до 400ºC Запатентованная технология газораспределения ICPCVD Очистка камеры на месте с нанесением конечных точек Гибкий модуль подачи пара, позволяющий осаждать пленки с использованием жидких прекурсоров, например, TiO2 с использованием TTIP, SiO2 с использованием TEOS Нагрев стенок уменьшает осаждение на стенках камеры Гелиевое охлаждение с обратной стороны с механическим зажимом обеспечивает равномерную температуру пластин и оптимизацию свойств пленки Глобальная поддержка клиентов Компания Oxford Instruments стремится обеспечить всестороннюю, гибкую и надежную глобальную поддержку клиентов. Мы предлагаем высококачественное обслуживание на протяжении всего срока службы вашей системы.